在半导体制造领域，结构的选择至关重要，它直接影响着芯片的性能、能效、成本与可靠性。当制程节点推进到 22nm 以下时，鳍式场效应晶体管（FinFET）凭借其三维立体结构成为行业主流。然而，在 FinFET 阵营内部，体硅（Bulk Silicon）与 SOI（绝缘体上硅）这两大技术路线展开了激烈竞争。

　　

　　Bulk Silicon FinFET 基于常规硅晶圆制造。在导电的硅衬底上实现相邻晶体管间的有效隔离是其挑战。工程师们采用浅沟槽隔离（STI）技术，通过等离子刻蚀在硅衬底上挖出深达数百纳米的沟槽，然后填充二氧化硅（SiO）或氮化硅（Si?N?）作为。在隔离区域之间形成垂直硅鳍，典型高度为 30 - 50nm，宽度为 5 - 10nm，栅极从三面包裹硅鳍，增强沟道控制能力。
　　不过，这种结构较为复杂。硅鳍底部与衬底直接相连，需要通过精密掺杂在鳍基形成隔离层，以防止漏电流向衬底扩散。随着鳍高度的增加，掺杂均匀性控制成为难点，可能引发随机掺杂涨落（RDF）导致的阈值电压波动。例如，当鳍高度增加时，掺杂剂在鳍基的分布可能不均匀，从而影响晶体管的性能稳定性。
　　SOI FinFET：天然绝缘的优雅设计
　　SOI FinFET 构建在特殊的三层晶圆上，顶层硅（约 10nm）用于刻蚀形成晶体管鳍片，埋氧层（BOX，约 25nm）为二氧化硅绝缘层，隔绝衬底，基底硅仅起机械支撑作用。
　　这种结构带来了诸多优势，无需进行 STI 刻蚀，埋氧层自然隔离相邻器件；消除了鳍基掺杂，BOX 层阻挡垂直漏电路径；硅鳍全耗尽，超薄顶层硅确保栅极完全控制沟道。从电子图像中可以看到，SOI FinFET 的硅鳍如精致的雕塑般矗立在光滑的氧化层上，与 Bulk Silicon 中复杂的隔离结构形成鲜明对比。
　　衬底材料隔离方式硅鳍连接鳍高关键掺杂区
　　单层硅晶圆浅沟槽隔离（STI）与衬底直接相连30 - 50nm鳍基防漏电掺杂层
　　硅 / 二氧化硅 / 硅复合晶圆埋氧层（BOX）天然隔离通过 BOX 层与衬底绝缘20 - 40nm无需特殊掺杂
　　工艺复杂度：从制造流程看成本控制
　　Bulk Silicon FinFET：繁琐但成熟的前端工艺
　　Bulk Silicon FinFET 的制造前端包含多个高精度步骤。深槽刻蚀采用反应离子刻蚀（RIE）形成 STI 沟槽，深宽比达 5:1 以上；隔离填充使用原子层沉积（ALD）氮化硅 + 二氧化硅填充沟槽；化学机械抛光（CMP）去除多余隔离材料，实现全局平坦化；鳍基注入通过倾斜离子注入形成 P/N 阱与防穿通掺杂层；硅鳍刻蚀利用多重曝光光刻 + 刻蚀定义鳍阵列。
　　这些步骤不仅增加了 5 - 7 道光罩，还引入了掺杂均匀性和刻蚀深宽比等控制难点。特别是鳍基注入环节，需控制掺杂轮廓以平衡泄漏与性能，退火过程易导致杂质扩散，影响阈值电压稳定性。
　　SOI FinFET：简化的前端流程
　　SOI 工艺大幅简化了前端制程，跳过了 STI 步骤，因为埋氧层已实现天然隔离，仅需定义有源区图形；省略了鳍基注入，埋氧层阻断漏电，无需复杂掺杂工程；可直接在超薄顶层硅上一步形成全耗尽硅鳍。这种简化使 SOI FinFET 的前端工艺步骤减少约 30%，显著降低了成本。