BLDC 驱动揭秘:现代 MOSFET 驱动 IC 钟情 “上高下高” 逻辑的缘由
出处:网络整理 发布于:2025-06-13 16:11:33 | 188 次阅读
PWM 控制基础:理解 “有效电平”
驱动 IC 的重要任务之一,是将来自 的低功率 PWM 信号进行放大,使其成为足以驱动 MOSFET 栅极的强信号。在此过程中,明确 PWM 信号何种电平代表开启对应的 MOSFET 至关重要。
1. “上高下高”(Active High for Both)
定义:无论是上桥臂还是下桥臂 MOSFET,其对应的 PWM 输入高电平代表开启指令;低电平代表关闭指令。
示意:上桥 PWM 为高电平时,上 MOS 管开启;下桥 PWM 为高电平时,下 MOS 管开启;两者低电平时,对应 MOS 管关闭。
核心要求:同一相的上下桥 PWM 绝不能同时为高电平,否则会造成可怕的直通短路(Shoot - Through),瞬间烧毁 MOSFET。以屹晶微的 EG2132 为例,它是典型的 “上高下高” 控制方式。

2. “上高下低”(Active High for Top, Active Low for Bottom)
定义:上桥臂 MOSFET 对应的 PWM 输入,高电平代表开启;下桥臂 MOSFET 对应的 PWM 输入,低电平代表开启(相当于 “有效低”)。
示意:上桥 PWM 为高电平时,上 MOS 管开启;下桥 PWM 为低电平时,下 MOS 管开启;上桥低电平且下桥高电平时,对应 MOS 管关闭。
核心要求:同一相的 PWM 绝不能出现上桥为高、下桥为低的组合,这也是导致直通短路的致命组合。以屹晶微的 EG2103 为例,它是典型的 “上高下低” 控制方式。
永恒不变的铁律:严防死守 “直通”
无论采用哪种逻辑配置,防止同一相的上下桥 MOSFET 同时导通是驱动设计的核心原则,也是所有驱动 IC 设计中优先级最高的任务。现代驱动 IC 通常具备以下关键保护机制:

历史的烙印:为何曾是 “上高下低” 的天下
回顾早期 BLDC 驱动方案,驱动 IC 的集成度、工艺水平和内部逻辑复杂度有限。在外部可靠地实现防止 “上高下低”(即上桥高 + 下桥低)同时出现的直通组合时,硬件逻辑上有一个 “巧妙” 的解决方案:使用简单的与非门电路(NAND gate)。对于下桥臂 “低电平有效” 的设计,将下桥的 PWM 输入信号取反后再控制 MOSFET,其逻辑恰好可以通过一个简单的与非门实现。这种方案在当时硬件资源受限的情况下,成本低、实现相对简单、可靠性满足基本要求,因此 “上高下低” 逻辑成为了早期驱动设计的主流选择。

时代的进步:为何现在主流是 “上高下高”
随着技术的不断发展,现代栅极驱动 IC 的制造工艺、集成能力和设计复杂度已经有了显著提升。内部的数字逻辑、高精度死区控制、先进保护功能都高度集成化。在这种背景下,“上高下高” 逻辑的优势被充分发挥,逐渐成为新设计的首选。
总结:可靠性至上的选择
驱动 IC 中 PWM 逻辑从 “上高下低” 到 “上高下高” 的演变,清晰地展现了技术升级的路径:从早期依赖外部逻辑应对资源限制的 “权宜之计”,发展到依托高度集成化 IC 实现内在逻辑优化和可靠性提升的 “最优解”。现代 “上高下高” 配置凭借其优异的抗干扰性能、符合直觉的接口、更高的上下电安全性,以及对驱动 IC 先进内建保护机制的完美契合,成为了当今高性能、高可靠性 BLDC 控制系统设计的首选逻辑方案。
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