2025世俱杯

BLDC 驱动揭秘:现代 MOSFET 驱动 IC 钟情 “上高下高” 逻辑的缘由

出处:网络整理 发布于:2025-06-13 16:11:33 | 188 次阅读

在无刷直流(BLDC)电机的控制系统中,6 路 PWM 信号精准控制上下桥 的是系统运行的核心。而驱动 IC 对 PWM 高低电平有效性的配置,经历了从 “上高下低” 到 “上高下高” 的显著转变。这一转变背后,不仅仅是逻辑定义的不同,更是技术与可靠性不断进化的体现。下面,我们就来深入揭秘这两种 PWM 配置逻辑的本质与选择依据。

PWM 控制基础:理解 “有效电平”


驱动 IC 的重要任务之一,是将来自 的低功率 PWM 信号进行放大,使其成为足以驱动 MOSFET 栅极的强信号。在此过程中,明确 PWM 信号何种电平代表开启对应的 MOSFET 至关重要。
1. “上高下高”(Active High for Both)

定义:无论是上桥臂还是下桥臂 MOSFET,其对应的 PWM 输入高电平代表开启指令;低电平代表关闭指令。
示意:上桥 PWM 为高电平时,上 MOS 管开启;下桥 PWM 为高电平时,下 MOS 管开启;两者低电平时,对应 MOS 管关闭。
核心要求:同一相的上下桥 PWM 绝不能同时为高电平,否则会造成可怕的直通短路(Shoot - Through),瞬间烧毁 MOSFET。以屹晶微的 EG2132 为例,它是典型的 “上高下高” 控制方式。
2. “上高下低”(Active High for Top, Active Low for Bottom)

定义:上桥臂 MOSFET 对应的 PWM 输入,高电平代表开启;下桥臂 MOSFET 对应的 PWM 输入,低电平代表开启(相当于 “有效低”)。
示意:上桥 PWM 为高电平时,上 MOS 管开启;下桥 PWM 为低电平时,下 MOS 管开启;上桥低电平且下桥高电平时,对应 MOS 管关闭。
核心要求:同一相的 PWM 绝不能出现上桥为高、下桥为低的组合,这也是导致直通短路的致命组合。以屹晶微的 EG2103 为例,它是典型的 “上高下低” 控制方式。

永恒不变的铁律:严防死守 “直通”


无论采用哪种逻辑配置,防止同一相的上下桥 MOSFET 同时导通是驱动设计的核心原则,也是所有驱动 IC 设计中优先级最高的任务。现代驱动 IC 通常具备以下关键保护机制:
  • 集成死区时间控制(Integrated Dead Time):确保在上下桥切换的瞬间,预留一段两者都关闭的安全时间,彻底杜绝因开关延迟导致的瞬态直通。
  • 高级防护电路:针对可能引起意外导通的现象(如 MOSFET 关断时栅极的电压振铃 Ring、栅极承受过大的负压 dv/dt 等),内置防护电路,大幅提升系统鲁棒性。以屹晶微的 EG2132 的真值表为例,就体现了这些防护机制的作用。

历史的烙印:为何曾是 “上高下低” 的天下


回顾早期 BLDC 驱动方案,驱动 IC 的集成度、工艺水平和内部逻辑复杂度有限。在外部可靠地实现防止 “上高下低”(即上桥高 + 下桥低)同时出现的直通组合时,硬件逻辑上有一个 “巧妙” 的解决方案:使用简单的与非门电路(NAND gate)。对于下桥臂 “低电平有效” 的设计,将下桥的 PWM 输入信号取反后再控制 MOSFET,其逻辑恰好可以通过一个简单的与非门实现。这种方案在当时硬件资源受限的情况下,成本低、实现相对简单、可靠性满足基本要求,因此 “上高下低” 逻辑成为了早期驱动设计的主流选择。

时代的进步:为何现在主流是 “上高下高”


随着技术的不断发展,现代栅极驱动 IC 的制造工艺、集成能力和设计复杂度已经有了显著提升。内部的数字逻辑、高精度死区控制、先进保护功能都高度集成化。在这种背景下,“上高下高” 逻辑的优势被充分发挥,逐渐成为新设计的首选。
  • 更高的抗干扰能力:“上高下低” 要求 MCU 对下桥 PWM 输出低电平作为有效开启信号。在复杂的电磁环境中,低电平信号更容易受到干扰,误触发 MOSFET 开启的风险略高。而 “上高下高” 的开启都是高电平,干扰使其达到有效门槛的可能性相对较低。
  • 更符合直觉的逻辑:“高电平开启” 对于大多数工程师来说,是更自然、更符合直觉的逻辑定义方式(比如的控制、普通 GPIO 点亮 等)。设计理解和代码编写更容易,降低人为错误的可能性。“上高下低” 的混合逻辑(上桥高有效,下桥低有效)则需要额外的思维转换,增加认知负担。
  • 上下电状态更可靠:MCU 在启动或复位时,IO 口往往处于默认的低电平或高阻态。“上高下高” 逻辑下,这种默认状态会自然地关闭所有 MOSFET,带来更高的上电安全性。而对于 “上高下低” 逻辑,MCU 的下桥口在默认输出低电平(或某些配置下的状态)时,可能就对应于下桥 MOSFET 的意外开启状态,存在一定风险。
  • 简化接口设计:随着驱动 IC 集成度提高,复杂的防直通逻辑都放在了 IC 内部,不需要再依赖外部的逻辑门电路。工程师只需关注 “输出高代表开启” 这一统一指令即可,接口设计更简洁。

总结:可靠性至上的选择


驱动 IC 中 PWM 逻辑从 “上高下低” 到 “上高下高” 的演变,清晰地展现了技术升级的路径:从早期依赖外部逻辑应对资源限制的 “权宜之计”,发展到依托高度集成化 IC 实现内在逻辑优化和可靠性提升的 “最优解”。现代 “上高下高” 配置凭借其优异的抗干扰性能、符合直觉的接口、更高的上下电安全性,以及对驱动 IC 先进内建保护机制的完美契合,成为了当今高性能、高可靠性 BLDC 控制系统设计的首选逻辑方案。
0次

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,//qvqwriy.cn,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:

扫码下载APP,
 一键连接广大的电子世界。 

在线人工客服

买家服务:
卖家服务:
技术客服:

0571-85317607

网站技术支持

13606545031

客服在线时间周一至周五
 9:00-17:30

关注官方微信号,
第一时间获取资讯。

建议反馈

联系人:

联系方式:

按住滑块,拖拽到最右边
>>
感谢您向阿库提出的宝贵意见,您的参与是维库提升服务的动力!意见一经采纳,将有感恩红包奉上哦!