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FGL60N100BNTDTU

更新时间:2025-06-14 02:24:50

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Fairchild Semiconductor IGBT - 单路

IGBT N-CH 1000V 60A TO-264

封装:TO-264-3，TO-264AA

FGL60N100BNTDTU 概述

FGL60N100BNTDTU是安森美半导体生产的高性能MOSFET。它采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于高频高效应用。这款MOSFET的最大漏源电压为100V，适合于电源转换器、电机驱动以及不间断电源等应用场景。在实际应用中，该MOSFET可用于同步整流电路以提高效率。设计时需注意其最大工作电压不超过额定值，并确保散热良好。例如，在一个反激式开关电源中，可作为次级侧同步整流管使用，能有效降低损耗并提升整体转换效率。此外，由于其快速的开关速度，在PCB布局上要特别注意减少寄生电感的影响，可通过缩短走线长度和增加地平面面积来优化。

FGL60N100BNTDTU 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
25
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
-
IGBT 类型
NPT 和沟道
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1000V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
2.9V @ 15V，60A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
180W
输入类型
标准型
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装
TO-264
包装
管件

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