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microchip technology inc宣布推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压 ,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元(
microchip推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元(peec)工艺技术,使器件可在1.8至5.5v全电压范围下工作,并
microchip technology inc.(美国微芯科技公司)宣布推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元(peec)工艺技
microchip technology inc.(美国微芯科技公司)宣布推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元(peec)
microchip推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元(peec)工艺技术,使器件可在1.8至5.5v全电压范围下工作,
单片机和模拟半导体供应商——microchip technology inc.(美国微芯科技公司)宣布推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchi
microchip technology inc.(美国微芯科技公司)宣布推出业界速度最快(20 mhz)的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024(25xx1024)。同时,公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512(25xx128/512)等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件,涵盖整个串行外设接口(spi)存储密度范围(1 kb至1 mb)。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作,并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行eeprom的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元(peec