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2n5631中文资料

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    140 V

  • 发射极 - 基极电压 VEBO:

    7 V

  • 最大直流电集电极电流:

    16 A

  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:

    15

  • 配置:

    Single

  • 最大工作频率:

    1 MHz

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-204-2 (TO-3)

  • 封装:

    Tray

  • 集电极连续电流:

    16 A

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    200 W

  • 工厂包装数量:

    100

  • 电子灭蚊蝇窗纱

    值为400v的cbb电容器或涤纶电容器;c8选用耐压值为25v的铝电解电容器;c13-c16均选用耐压值为630v的高频瓷介电容器。 vdl和vd2均选用1n4148型硅开关一极管。 vl选用φ5mm的普通发光一极管。 v选用2sc2261或2n5631、3da8f型硅npn晶体管。 icl选用twh951l或twh9512型热释电红外传感器控制专用集成电路;ic2选用lm7812型三端集成稳压器;ic3选用ne556或a556型双时基集成电路。 热释电红外传感器选用sd02或p228型，配合用ce-024或qla型菲涅尔透镜。 k选用9v直流继电器。 tl选用3-5w、二次电压为l5v的电源变压器;t2使用电警具用脉冲变压器或用elo型磁心绕制。次绕组用φ0.49mm的漆包线绕30匝，

2n5631替代型号

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