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节电容）；另一种为外部方式，此方式的时钟源直接来自外部硬件电路（见图7）。对此电路来说，mcs-51系列单片机可使用已集成在片内的振荡器，亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。由于内部时钟发生器是一个二分频的触发器，所以对外部振荡源要求不严，通常是产生112～12mhz的方波。当外接振荡器时，外部振荡信号从xtal1端，即内部三相波形发生器的输入端输入，xtal2端可浮空。 图7 外部晶体振荡电路 图7所示为一种典型的外部并行谐振振荡电路。该电路主要应用晶体的基频来设计。其中，74as04反相器用来实现振荡器所需的180°相移，417kω的电阻用来提供负反馈给反相器，10kω的电位器则用来提供偏压，从而使反相器74as04工作在线性范围内。 图8 外部串行谐振振荡电路 图8所示为一种典型的外部串行谐振振荡电路。该电路也是应用晶体的基频来设计。其中，74as04反相器用来提供振荡器所需的180°相移，330ω的电阻用来提供负反馈，同时偏置电压。 4.1.3 rc振荡 rc振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。rc振荡频率随电源电压vdd、rc值及工作
建立振荡，如图1所示。电阻rs常用来防止晶振被过分驱动。在晶体振荡下，电阻rf≈10mω。对于32khz以上的晶体振荡器，当vdd>4.5v时，建议c1=c2≈30pf。（c1：相位调节电容； c2：增益调节电容。） 图1 外部晶体振荡器电路：pic芯片可以使用已集成在片内的振荡器，亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。当外接振荡器时，外部振荡信号）仅限于hs。xt。lp）从osc1端输入，osc2端开路。 图2 图2所示的是典型的外部并行谐振振荡电路，应用晶体的基频来设计。74as04反相器以来实现振荡器所需的180°相移，4.7kω的电阻用来提供负反馈给反相器，10kω的电位器用来提供偏压，从而使反相器74as04工作在线性范围内。图3所示的是典型的外部串行谐振振荡电路，亦应用晶体的基频来设计。74as04反相器用来提供振荡器所需的180°相移， 330ω的电阻用来提供负反馈，同时偏置电压。 图3 rc振荡： rc振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。rc振荡频率随着电源电压vdd，rc值及工作环境温度的变化而变化。同时由于工艺参数的差异，对不同芯片其振荡器
t引脚上，以建立振荡，如图1所示。电阻rs常用来防止晶振被过分驱动。在晶体振荡下，电阻rf≈10mω。对于32khz以上的晶体振荡器，当vdd>4.5v时，建议c1=c2≈30pf。（c1：相位调节电容； c2：增益调节电容。） 图1外部晶体振荡器电路：pic芯片可以使用已集成在片内的振荡器，亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。当外接振荡器时，外部振荡信号）仅限于hs。xt。lp）从osc1端输入，osc2端开路。 图2图2所示的是典型的外部并行谐振振荡电路，应用晶体的基频来设计。74as04反相器以来实现振荡器所需的180°相移，4.7kω的电阻用来提供负反馈给反相器，10kω的电位器用来提供偏压，从而使反相器74as04工作在线性范围内。图3所示的是典型的外部串行谐振振荡电路，亦应用晶体的基频来设计。74as04反相器用来提供振荡器所需的180°相移， 330ω的电阻用来提供负反馈，同时偏置电压。 图3rc振荡：rc振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。rc振荡频率随着电源电压vdd，rc值及工作环境温度的变化而变化。同时由于工艺参数的差异，对不同芯片其振荡器频率将不同。另外
首先 ，谢谢各位大侠。 由于书本上讲的不清楚，在对8253的clk信号的讲解时只说标准时钟信号，但在用的时候根本没有可参考的东西，在这里我把它说一下，请各位大侠共同参详， 8253的max频率为2m，实际可以达到2.6m，可以用大侠们提出的xtal2作为时钟信号，用分频器分频，分成2m即可，电路很简单。另一种方法是用晶体振荡器产生2m的频率，具体方法是用74as04或74ls04的6反相器的两个反相器串联在每个反相器的输入和输出端加上一个330欧的反馈电阻，再串联的两个反相器的两端接晶体振荡器
首先 ，谢谢各位大侠。 由于书本上讲的不清楚，在对8253的clk信号的讲解时只说标准时钟信号，但在用的时候根本没有可参考的东西，在这里我把它说一下，请各位大侠共同参详， 8253的max频率为2m，实际可以达到2.6m，可以用大侠们提出的xtal2作为时钟信号，用分频器分频，分成2m即可，电路很简单。另一种方法是用晶体振荡器产生2m的频率，具体方法是用74as04或74ls04的6反相器的两个反相器串联在每个反相器的输入和输出端加上一个330欧的反馈电阻，再串联的两个反相器的两端接晶体振荡器
74as04做出来的很好用。 看看电容。
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