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带宽：50MHz、5V；低噪声：4.5nV/√Hz；；偏移电压：100μV(典型值)；指定超过整个共同模范围；转换率：41V/μs；轨至轨输入和输出摆动；输入偏置电流：1μA；单电源操作：2.7～5.5V；节省空间的MSOP和SOIC封装
了重大进步。这些进步允许放大器设计工程师充分发挥每种工艺的性能和功能。cmos工艺已经从先进技术(受到数字微处理器推动)的进步中获益，模拟放大器设计工程师们也早利用其获得了低成本下的高性能。过去，超高性能放大器产品都需要利用双极型工艺进行设计；现在，模拟放大器设计工程师能够克服cmos工艺电压噪声较高的缺点，兼备低噪声和超低偏置电流(可能来自氧化物绝缘栅极)。为达到这一目的，adi公司已经开发了专有的icmos工业cmos工艺，并于不久前推出了具有最低噪声(4.5 nv/√hz)的cmos放大器ad8651，和拥有超低电源电流(每放大器1微安)的ad8500。 但是，目前许多高性能运算放大器仍然使用双极型工艺，因为这种工艺可以提供明显的模拟设计优势，而且几乎不需要进行性能折衷。各种新的工业双极型工艺，例如adi公司的ipolar沟道隔离工艺技术，通过先进的制造工艺和结型场效应管(jfet)等器件，显著减小了管芯尺寸。这些在制造工艺上的新进展，允许放大器设计工程师开发出具有无与伦比性能参数的产品。其中一个例子是ad8599，它将宽带噪声减小到几乎测不到的程度(1 nv/√hz)。
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