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量将因此增加。在以下的讨论中，钳位电压被定义为第二峰值的最大电压。 几种保护二极管的比较 为了进行公平的比较，所选元器件应当有相似的封装尺寸和参数指标。用来比较的是三只esd保护二极管，当对它们的电特性进行比较时，认为这些器件可以彼此互换。这些器件都是双向的esd保护器件，具有同样的击穿电压(6.8 v)、电容(15 pf)和封装外形(1.0 × 0.6 × 0.4 mm)。这里所选择的产品分别是竞争对手1的rsb6.8cs、竞争对手2的pg05dbtfc和安森美半导体的esd9b5.0st5g。 当对以上器件的dc性能进行比较的时候，结果看起来似乎是相同的(参见图2所示曲线)。此外，它们都声称符合iec61000-4-2第4级标准，这就意味着它们将都经受住高达8 kv接触电压的esd冲击。确保保护敏感ic的esd保护器件至关重要的性能不是dc性能; 尽管器件符合iec61000-4-2的第4级标准是重要，但更重要的是保护ic。为确保在esd事件期间ic没有被损坏，保护二极管必须把esd电压钳位至足够低的值，使ic不会损坏。 图2：三种esd器件的dc特性对比。
间较长，被测ic承受的能量将因此增加。在以下的讨论中，箝位电压被定义为第二峰值的最大电压。 几种保护二极管的比较 为了进行公平的比较，所选元器件应当有相似的封装尺寸和参数指标。用来比较的是三只esd保护二极管，当对它们的电特性进行比较时，认为这些器件可以彼此互换。这些器件都是双向的esd保护器件，具有同样的击穿电压(6.8v)、电容(15pf)和封装外形(1.0×0.6×0.4 mm)。这里所选择的产品分别是竞争对手１的rsb6.8cs、竞争对手２的pg05dbtfc和安森美半导体的esd9b5.0st5g。 当对以上器件的dc性能进行比较的时候，结果看起来似乎是相同的(参见图2所示曲线)。此外，它们都声称符合iec61000-4-2第4级标准，这就意味着它们将都经受住高达8kv接触电压的esd冲击。 图2：三种esd器件的dc特性对比。 为了比较每个器件的箝位性能，利用示波器来抓取esd发生期间的电压波形。利用完全相同的测试条件，对上述器件进行并排测试。图3中显示出每个二极管对正/负esd脉冲的响应曲线。所用的输入脉冲为iec61000-4-2 level 4的标准接触电压
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