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当前位置:维库电子市场网>IC>fdd4141 更新时间:2025-07-29 11:38:47

fdd4141供应商优质现货

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    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

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fdd4141价格行情

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历史最低报价:¥0.9000 历史最高报价:¥5.0000 历史平均报价:¥2.0760

fdd4141中文资料

  • 飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道powertrench mosfet产品fdd4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。fdd4141具有低导通阻抗(rds(on)),与目前的mosfet比较能降低栅极电荷(qg)达50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百khz应用的必备条件。尽管其它mosfet解决方案亦可在较高频率下进行切换,但这些解决方案的栅极电荷较高,造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术制造,可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench技术将n沟道mosfet的特性运用在p沟道mosfet中,使到p沟道mosfet具备n沟道mosfet的性能,并表现出更低的rds (on)和更低的栅极电荷,继而更高的效率,同时还能够在数百khz的高频下切换,以达致步降转换器的开关要求。 fdd4141是飞兆

  • 飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench® MOSFET 减小开关损耗达50%

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on)),与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换,惟这些解决方案的栅极电荷较高,造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造,可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中,使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能,并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷,继而更高的效率,同时还能够在数百 k

  • 飞兆推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on)),与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换,但这些解决方案的栅极电荷较高,造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造,可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道mosfet 中,使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能,并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷,继而更高的效率,同时还能够在数百 khz 的高

  • 飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench MOSFET

    飞兆半导体公司推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on)),与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换,惟这些解决方案的栅极电荷较高,造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造,可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中,使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能,并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷,继而更高的效率,同时还能够在数百 khz 的高频下切换,以达致步降转换器的开关要求。

  • 飞兆新推PowerTrench MOSFET产品FDD4141,可将开关损耗减少达一半

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on)),与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换,但这些解决方案的栅极电荷较高,造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造,可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道mosfet 中,使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能,并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷,继而更高的效率,同时还能够在数百 khz 的

fdd4141替代型号

FDC636P FDC633N FDC6321C FDC6020C FDC37C935 FDB8860 FDB2710 FDB2614 FDB045AN FDA18N50

FDD6035AL FDD6682 FDD6696 FDD8424H FDD8880 FDFMA2N028Z FDFMA2P029Z FDFMA2P853 FDFMA2P853T FDFMA2P857

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FM5819 FQD5N60CTM FAN2011MPX FM24CL64-GTR FR9801S6CTR FST3384QSCX FW344-TL-E FDMC8296 FDS6690AS FQP27P06

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