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英飞凌推出专为牵引驱动而优化的全新IHM/IHV B功率模块
提高10倍。对于其他温度变化幅度较小的应用，如工业传动、风能发电和电梯等，英飞凌将提供使用铜基板的ihm/ihv b模块变体。 ihm/ihv b模块的电流能够做到3,600 a以上，电压级别包括：1,200 v、1,700 v和3,300 v。1,200 v模块中使用的晶体管基于全新英飞凌igbt4技术。1,700 v和3,300 v模块中的晶体管使用基于英飞凌trenchstop?/电场截止工艺的igbt3技术，与先前的模块相比，大幅度削减了正向导通电压。例如3,300 v fz1500r33hl3模块的正向导通电压为2.5v，比相当的kf2c模块（4.3v）低40%左右。这些新型模块符合rohs要求，并满足nff16-101和16-102的防火要求。它们都在德国warstein生产，igbt和二极管芯片在奥地利菲拉赫制造。供货情况额定电流为1,500a的两款3,300v ihm/ihv b模块——fz1500r33hl3（带有igbt3家族的软性igbt）和fz1500r33he3 （运用高速igbt3 芯片），现已开始提供样片。如欲了解关于ihm

英飞凌新款IHM/IHV B功率模块改善热阻性能和循环能力
用，铝碳化硅基板可将热循环能力提高10倍。对于其他温度变化幅度较小的应用，如工业传动、风能发电和电梯等，英飞凌将提供使用铜基板的ihm/ihv b模块变体。 ihm/ihv b模块的电流能够做到3,600a以上，电压级别包括：1,200v、1,700v和3,300v。1,200v模块中使用的晶体管基于英飞凌igbt4技术。1,700v和3,300v模块中的晶体管使用基于英飞凌trenchstop/电场截止工艺的igbt3技术，与先前的模块相比，大幅度削减了正向导通电压。例如3,300v fz1500r33hl3模块的正向导通电压为2.5v，比相当的kf2c模块(4.3v)低40%左右。这些新型模块符合rohs要求，并满足nff16-101和16-102的防火要求。它们都在德国warstein生产，igbt和二极管芯片在奥地利菲拉赫制造。额定电流为1,500a的两款3,300v ihm/ihv b模块——fz1500r33hl39(带有igbt3家族的软性igbt)和fz1500r33he3(运用高速igbt3芯片)，现已开始提供样片。批量生产预计于2006年第三季度开始。

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