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GBPC2506W 25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE... DIODES GBPC2506WPDF下载
GBPC2506W HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIE... PANJIT GBPC2506WPDF下载
GBPC2506W SINGLE PHASE BRIDGE Power Modules IRF GBPC2506WPDF下载
GBPC2506W Bridge Rectifier Single Phase 600V 2... GBPC2506WPDF下载
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GBPC2506W 25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE... DIODES [Diodes Incorporated] GBPC2506WPDF下载
GBPC2506W HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIE... PANJIT [Pan Jit International Inc.] GBPC2506WPDF下载
GBPC2506W SINGLE PHASE BRIDGE Power Modules IRF [International Rectifier] GBPC2506WPDF下载
GBPC2506W-E4/51 Bridge Rectifier Single Phase 600V 2... GBPC2506W-E4/51PDF下载

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基于One Cycle控制技术的无整流桥PFC设计应用
件，而普通pfc 电路的电感电流则通过3个半导体器件。表1所示，无整流轿的pfc用一个mosfet的体二极管来代替普通pfc 电路的两个较慢恢复二极管。曲于这两个电路都作为升压变换器，因此它们的开关损耗是一样的。在这两个电路中，尽管效率都有所改善，但导通损耗是不同的。与普通的pfc相比，无整流桥的pfc不仅减低了导通损耗，而且减少了元器件。为了估计无整流桥pfc电路效率的提高，戍原理分析比较其损耗。此电路选开关是一个22a， 600v的结型mosfet，升压二极管选择的是gbpc2506w， 25a、600v，用这些器件导通损耗模型的方法画出这些器件的导通损耗曲线。由于电感电流是瞬时的，只能画出这两种器件在90v输人电压和不同输出功率下的导通损耗曲线。两种pfc 电路二极管抿耗比较如图3所示。对于整个功率范围，无整流桥的pfc在满功率的水平能将总效率提高1 ％。考虑到 mosfet 的导通电阻很小，用同步整流方式的mosfet，可以进一步减小损耗。mosfet －b通损耗的*估是基于其较低的体二极管压降和导通电阻。两种 pfc 电路mos损耗比较如图4所示，这两种情况的功

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