IRF6619TRPBF
7216
DIRECTFET/21+
原装现货
IRF6619
5134
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
IRF6619
22113
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
IRF6619
20000
SOT223/2024+
17%原装.深圳送货
IRF6619
22113
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
IRF6619
50000
DirectFET/23+ROHS
原装，原厂渠道，十年BOM配单专家
IRF6619
6607
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货
IRF6619
108527
DirectFET/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
IRF6619
28683
SOP8/21+
原装现货终端免费提供样品
IRF6619
7000
DirectFET/23+
只做原装现货
IRF6619
168000
SMD/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRF6619
138000
SMD/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRF6619
12500
DirectFET/24+
100%原装深圳现货
IRF6619
25000
DirectFET/22+
只做原装进口现货，专注配单
IRF6619
105000
DirectFET/23+
原厂代理 终端免费提供样品
IRF6619
8700
-/23+
原装现货
IRF6619
28000
-/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRF6619
52701
SMD/22+
只做原装,专注海外现货订购20年
IRF6619
6500
DirectFET/23+
只做原装现货
IRF6619
DirectFET Power MOSFET
IRF
IRF6619PDF下载
IRF6619
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IRF6619PDF下载
IRF6619
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6619PDF下载
IRF6619PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6619PBFPDF下载
IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IRF6619TR1PDF下载
IRF6619TRPbF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6619TRPbFPDF下载
IRF6619TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IRF6619TR1PBFPDF下载
国际整流器公司(international rectifier，简称ir)推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新产品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。例如，电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组，可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。 ir中国及香港销售总监严国富指出：“irf6619和irf6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet，可以减少一半的元件数量，并为每个相位减少一半以上的占板空间，有效压缩工作站和服务器的体积。” irf6619是理想的同步mosfet，器件的典型导通电阻极低，在10vgs下为1.65mω，在4.5vgs下则为2.2mω，而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装，占板面积与so-8封装相同，高度只有0.7mm。 irf6633的栅电荷极低，米勒电荷只有4nc，最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比，
国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。 例如，电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组，可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。ir中国及香港销售总监严国富指出：“irf6619 和irf6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet，可以减少一半的元件数量，并为每个相位减少一半以上的占板空间，有效压缩工作站和服务器的体积。”irf6619是理想的同步mosfet，器件的典型导通电阻极低，在10vgs下为1.65mω，在4.5vgs下则为2.2mω，而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装，占板面积与so-8封装相同，高度只有0.7mm。irf6633的栅电荷极低，米勒电荷只有4nc，最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比，其
联系人：
联系方式：
