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Power MOSFET for DC-DC Converters
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Power MOSFET for DC-DC Converters
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HEXFET?? Power MOSFET for DC-DC Conv...
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，开关时间短，现已成为设计低电压、大电流功率变换器的首选整流器件。 最近，国外ic厂家还开发出同步整流集成电路（sric）。例如，ir公司最近推出的ir1176就是一种专门用于驱动n沟道功率mosfet的高速cmos控制器。ir1176可不依赖于初级侧拓扑而单独运行，并且不需要增加有源箝位（activeclamp）、栅极驱动补偿等复杂电路。ir1176适用于输出电压在5v以下的大电流dc／dc变换器中的同步整流器，能大大简化并改善宽带网服务器中隔离式dc／dc变换器的设计。ir1176配上irf7822型功率mosfet，可提高变换器的效率。当输入电压为＋48v，输出为＋1.8v、40a时，dc／dc变换器的效率可达86％，输出为1.5v时的效率仍可达到85％。 2 同步整流的基本原理 单端正激、隔离式降压同步整流器的基本原理如图1所示，v1及v2为功率mosfet，在次级电压的正半周，v1导通，v2关断，v1起整流作用；在次级电压的负半周，v1关断，v2导通，v2起到续流作用。同步整流电路的功率损耗主要包括v1及v2的导通损耗及栅极驱动损耗。当开关频率低于1mhz时，导通损耗占主导地位；
国际整流器公司 (ir)推出irdcsyn2参考设计，它使用ir1176专用同步整流集成电路。 新型ir1176器件的输出电压低至1.5v，可简化并改善电信及宽带网服务器的隔离式直流-直流变换器设计。ir1176配合irf7822等直流-直流变换器专用hexfet功率mosfet，可提高1.5v和1.8v直流-直流变换器的额定效率。 在40a电流48v输入环境下，1.8v直流-直流变换器的效率可达86%，1.5v的可达85%；同时控制栅驱动电路，大大减低变换器付边同步整流mosfet的功耗。 ir1176是一种用于驱动n沟道功率mosfet的高速cmos控制器，能在输出电压等于或低于5v的大电流、高频正激变换器内作为同步整流器使用。 该控制器的施密特 (schmitt) 触发器输出装置配备双脉冲抑制功能，在嘈杂环境下也能运作自如。电路无需连接原边组件，可直接从付边mosfet启动。 该电路能预测变压器输出转换，继而在转换前，启动或关掉功率mosfet，从而将漏极体二极管导通电阻降至最低，并降低相关损耗。开启或关断时机可以灵活调节，以适应各种功率mosfet的尺寸及电路的条件要求
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