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HEXFET Power MOSFET
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HEXFET Power MOSFET
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00v，输出总功率约为6w左右。 1)前端电路设计 当输入电压要求为ac400v时，考虑输入时电源的波动变化为±15％，则最高输入电压将达到460v左右，此输入电压经整流滤波后，其电压可达650v左右，再考虑加上输出反馈的电压uor和漏感形成的尖峰电压叠加后其最高电压将超过800v，而该芯片的最高电压为700v，为了保证top242能正常安全工作，在设计前端电路时增加了一个mos管，让mos管与top242串接，并实现与top管同步开关来提高整体耐压。本设计采用的mos管是ir公司的irfbc20，其耐压为600v，导通关断时间为几十个ns，这可以大大减少开关损耗。mos管的通断由top242n控制，这样可以使mos管和top242n内部的开关管时序保持一致，见图1。 2)外围控制电路设计 该电路将top242n的极限电流设置为内部最大值，将top242n设为全频工作方式，开关频率为1 32khz，把多功能脚m与s短接。 3)稳压反馈电路设计 反馈回路的形式由输出电压的精度决定，本设计采用“光耦加tl431”的反馈方式，见图1。它可以将输出电压的变动控制在
2.2A/600V
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