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HIGH AND LOW SIDE DRIVER
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速度igbt irg4bc20sd因此成为低功率器件的最好选择。一个第四代igbt与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为最低饱和电压和低工作频率(<1khz)进行优化。在10a下的典型vce(on)为1.4v。针对低正向降压及反向漏电流，跨越低侧igbt的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到最低。 逆变器效率 图2展示了系统层面的全桥功率逆变器电路。就如图中所示，h桥的每一支管脚由高电流、高速栅极驱动器ic，以及独立低和高侧参考输出通道所驱动。驱动器irs2106spbf的浮动通道容许自举电源为高侧功率电器件工作。因此，它免除了高侧驱动对隔离式电源的需求。这有助整体系统去改善逆变器的效率和减少零件数目。当电流续流到低侧igbt协同封装二极管，这些驱动器的自举电容器会在每个开关周期(50μs)更新。 由于高侧q1和q2协同封装二极管并不受续流电流影响，同时低侧q3及q4拥有主要的通态耗损和非常少的开关耗损，整体系统损耗获得最小化，而系统效率就得到最大化。此外，因为在任何时间，开关都在对角器件配对q1和q4，或者q2和q3上进行，所以排除了直通的可能性。同时，
端igbt的开关频率只有60hz，因此导通损耗是这些igbt的主要因素；没有交叉导通，因为任何时间点的开关都发生在对角的两个器件上(q1和q4或q2和q3)；不存在总线直通的可能性，因为桥的同一边上的igbt永远不可能以互补方式开关；跨接低压端igbt的同封装、超快速、软恢复二极管经过优化可以使续流和反向恢复期间的损耗达到最小。 功能和性能 在系统级电源逆变器电路中，h桥的每条边都使用高电压、高速栅极驱动器ic进行驱动，并且这些ic具有独立的低压端和高压端参考输出通道(图3)。驱动器irs2106spbf的浮动通道允许对高压端功率晶体管进行自举电源操作。 因此，高压端驱动不再需要单独的电源，这不仅提高了逆变器的效率，而且减少了整个系统的器件数量。当电流在低压端igbt同一封装上的二极管流过时，这些驱动器的自举电容将在每个开关周期得到刷新。 因为高压端的q1和q2同封装二极管不会有续流经过，低压端的q3和q4二极管上主要是导通损耗，开关损耗非常小，所以总的系统损耗得到了最小化，系统效率得到了最大化。交叉导通可能性也被排除了，因为任何时间点的开关只在对角的两个器件上发生(q1和q
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