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GaAs Infrared Emitter
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电路从光电晶体管得到5v输出。电阻器or不是完全必要的，但有助于稳定外部电流随温度的变化。2个光电二极管对于驱动光耦合器led所需的端电压是不够的。注意，总的光电流等于单个光电二极管的最小限值，所以力图平衡发光功率。 太阳能电池可用以替代3个光电二极管，但光电二极管对于高强宽波段环境光是最佳的，用ir led发光通常运行不好。更小的硅光电二极管对于捕获大多数led光是足够的并在接近900nm达到大约0.6ma/mw响应度。为使耦合最佳，在线连接500mm内去掉led透镜。无透镜类型(如ld242系列)能避免精加工。若需要高电压隔离，则让透镜放着，保持“蠕变”距离并改进与玻璃管波导的耦合。 可用单对可见波长led替代3个gaas led和硅光电二极管链，其中1个用做光源、另1个用做检测器。可见光led做为检测器的好处是它有相当高的开路光压。红光和绿光led可分别产生大于1v和2v光压。用一对面对面的660nm led可得到1.4v voc，这对于驱动1个gaas光耦合器led是足够的，但isc只有30ma。然而，在1mω负载上得到几微安是足够的，这如同采用pvi5100。光源调
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