20
TO220AB/19+
原装有现货实单可谈
1687
TO2202/24+
QQ询价原装真实库存现货热卖
1950
TO2202/23+
智弘电子 只做原装
MBR40250TG
15500
TO2203/2019+
原装现货可出样
MBR40250ACT
20
TO220AB/19+
原装有现货实单可谈
MBR40250
32560
TO220/2025+
原装优势有货
MBR40250TG
14110
-/23+
提供一站式配单服务
MBR40250G
250
TO2202/24+
QQ询价原装真实库存现货热卖
MBR40250G
22500
TO220/23+
原标原包公司现货,假一罚十提供一站式BOM
MBR40250G
2500
TO220/22+
只做原装欢迎监督
MBR40250TG
1
SMD/2023+
代理渠道丨工厂库存
MBR40250G
12500
TO220/23+
只做进口原装，假一赔十
MBR40250
254054
TO2202/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
MBR40250
11025
TO2202/23+
现货供应，当天可交货免费送样，原厂技术支持
MBR40250
42100
TO220/24+
只做原装，提供一站式BOM表电子配单服务
MBR40250
17941
TO220/21+
原装现货
MBR40250
12260
TO220/23+
高品质 优选好芯
MBR40250
15794
TO2202/2021+
原装进口订货7-10天
MBR40250
5000
TO2202/24+
原厂直销，提供技术支持
MBR40250
25000
TO220/22+
只做原装进口现货，专注配单
MBR40250
250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Powe...
ONSEMI
MBR40250PDF下载
MBR40250
250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Powe...
ONSEMI [ON Semiconductor]
MBR40250PDF下载
MBR40250G
Diode Schottky 250V 40A Through Hole...
MBR40250GPDF下载
MBR40250G
ON Semiconductor [250 V, 40 A SWITC...
ONSEMI
MBR40250GPDF下载
MBR40250T
250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Powe...
ONSEMI
MBR40250TPDF下载
MBR40250T
250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Powe...
ONSEMI [ON Semiconductor]
MBR40250TPDF下载
MBR40250-D
40A 250V Schottky Power Rectifier
ON Semiconductor
MBR40250-DPDF下载
MBR40250TG
Diode Schottky 250V 40A Through Hole...
MBR40250TGPDF下载
流器应用于能量恢复、反击浪涌以及输出整流上，在这些应用中反向电压可超过200v。一个最典型的应用例子是等离子电视屏幕的能量恢复电路。在此应用中，开关频率一般在250khz左右，而峰－峰值电压超过180v。这就要求整流器具有低的正向压降和尽可能出色的开关性能。能量恢复整流器应该具有250v左右的最小击穿电压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列：- mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。- mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。- mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。 此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用于滤
压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。nootbaar说：“以往250v击穿电压在商用的硅肖特基整流器的性能范围之外，设计者的选择只有标准超高速、软恢复超高速或昂贵的碳化硅整流器。安森美半导体采用了先进的硅肖特基技术，成功地取得更低的正向电压(vf < 1.0)，解决了200-250 khz频段中的开关损耗和电磁干扰(emi)问题。”安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列：- mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。- mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。- mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用于滤波的成本
产品型号:MBR40250TG
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):250
平均整流器前向电流IO(max)(A):40
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.970
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
瞬间反转电流IR(max)(mA):30 uA
封装/温度(℃):TO-220/-65~150...
产品型号:MBR40250G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):250
平均整流器前向电流IO(max)(A):40
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.970
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.030
封装/温度(℃):TO-220/150（max...
用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。 nootbaar说：“以往250v击穿电压在商用的硅肖特基整流器的性能范围之外，设计者的选择只有标准超高速、软恢复超高速或昂贵的碳化硅整流器。安森美半导体采用了先进的硅肖特基技术，成功地取得更低的正向电压(vf < 1.0)，解决了200-250 khz频段中的开关损耗和电磁干扰(emi)问题。” 安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列： - mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。 - mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。 - mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。 此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用于
应用于能量恢复、反击浪涌以及输出整流上，在这些应用中反向电压可超过200v。一个最典型的应用例子是等离子电视屏幕的能量恢复电路。在此应用中，开关频率一般在250khz左右，而峰－峰值电压超过180v。这就要求整流器具有低的正向压降和尽可能出色的开关性能。能量恢复整流器应该具有250v左右的最小击穿电压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。 安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列：- mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。- mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。- mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。 此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用
联系人：
联系方式：
