NTMFS4108N
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
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优势好价 靠谱原装 终端优选供应商
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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NTMFS4108N
Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Ch...
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Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Ch...
ON Semiconductor
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id及pd值的选取 mosfet的资料中，漏极电流id及允许耗散功率pd值在不同条件下是不同的，其数值相差很大。例如，n沟道功率mosfet irf6617的极限参数如表1所示。 表1 连续工作状态下的极限值 最大漏极电流idm=120a(以最大结温为限的脉冲状态工作)。 不同的mosfet生产厂家对id及pd的表达方式不同。例如，安森美公司的ntmfs4108n的id及pd参数如表2所示。 表2最大极限值(tj=25℃，否则另外说明) 最大漏电流idm=106a(脉冲状态，tp=10μs)。 在dc/dc转换器中，mosfet工作在占空比变化的脉冲状态，但也不是工作于窄脉冲状态；工作温度范围是-40～85℃。表1、表2中无这种工作条件下的id及pd值。id可在下面的范围内选取：(ta=70～85℃时的id)<id≤连续或短时的最大值。
产品型号:NTMFS4108NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2.200
最大漏极电流Id(on)(A):35
通道极性:N
封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150
描述:30V,35A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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