基于SST25VF020的数据存储系统设计

kbit至16mbit，且采用产业标准的8接脚soic封装及超薄型wson封装技术。此外，sst最新串行闪存提供最新自动地址增值（aai）资料写入模式，与单一字节资料写入模式相比，该资料写入模式能够将整个闪存的资料写入时间减少50%。sst25vf系列是以高效能超快闪技术为基础，加上四线及串行外围界面（spi），相对平行eeprom等非挥发性内存解决方案而言，sst的串行式闪存产品使用较少的接脚，将资料往返于系统cpu，因此可减少电路板空间、耗能及成本。 芯片介绍 芯片引脚介绍 sst25vf020是sst25vf系列产品中的一员，其芯片具有以下特点：总容量为2m；单电源读和写操作，工作电压为2.7-3.3v；低功耗，工作电流为7ma，等待电流为3μa；时钟频率高达33mhz，快速编程、快速擦除、快速读取；小型一致闪区尺寸4kb；数据保存100年；cmos i/o兼容等。 状态寄存器 状态寄存器用来对芯片的工作模式进行设定，在工作过程中，可以提供芯片的工作状态，比如读、写、写保护等。工作过程 首先设置状态寄存器，对flash的工作模式、写使能以及写保护区域进行设定。在读写

基于MSP430F149的无线环境监测传感器系统设计

该系统以msp430f149 超低功耗微控制器为核心, 配置新式的微型低功耗传感器, 可实时地对所测环境的温度、湿度、光照强度、有害气体浓度等参数进行测量处理。采用电池供电,无线传输, 避免了布线的烦琐, 而且具有良好的便携性。 系统硬件设计 整个传感器系统包括微处理器模块( 16 位单片机msp430f149、日历时钟芯片、复位电路及外围电路) 、传感器测量模块( 温湿度传感器、光照强度传感器、半导体型可燃气体敏感元件mq306a) 、存储器模块( flash 存储器sst25vf020) 、数据通信模块( 串口通信、无线通信) 、电源模块( lt1962ems83.3、lt1761es5- 5、ltc3459es6) , 系统框图如图1。 微处理器模块 msp430f149 是ti 公司生产的一款超低功耗单片机, 能够在1.8 v～3.6 v 电压、1 mhz 的时钟条件下运行, 具有5 种节电模式, 耗电流为0.1μa～400μa, 能够在数据检测时充分节电, 满足电池供电下的节能要求; 具有强大的处理能力(risc 结构、8mhz 晶体、驱动指

基于SST25VF020的数据存储系统设计

前言

　　近年来，闪速存储器已应用在数以千计的产品中，特别是移动通信、MP3音乐播放器、手持PC管理器、数码相机、网络路由器、舱内录音机等工业产品。闪速存储器由于具有非易失性和电可编程擦除性，从而具有半导体存储器...

SST25VF020

读、写操作电压2.7～3.6V； 串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3； 最大时钟频率：20MHz； 高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年； 超低功耗，动态读出电流：7mA(典型值)，待机电流：8μA(典型值)； 灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：70ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)； 自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件状态； 保持引脚(HOLD ＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列； 写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法； 软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护； 所有无铅装置遵从RoHS标准； 温度范围：0～＋70℃(商用级C)，- 40～＋85℃(工业级I)，- 20～＋85℃(扩展级E)

大家好，能不能帮忙推荐一个5V的串行EEPROM或者FLASH

sst25vf020 是3.3v供电的sst25vf020 是3.3v供电的有没有5v的？

我要做液晶显示,需要外接一字库芯片,不知怎么将字库文件写进去?

有多种方法。例如 sst25vf020 spi串行的。（如果使用并行的，管脚占用太多）软硬件烧写，自己制作（似乎有现成的51源代码）。如果需要较高速度（液晶也不需要太快），只能并行，置为某个外部存储器组，也很容易的。软硬件烧写，现成的很多.....例如ocd