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至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子
单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
n)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
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