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osfet系列产品可在高工作频率下提高效率，而且温度较低，所以，允许使用尺寸更小的磁器件和散热器，从而达到大幅降低设备尺寸的目的。 第二代mdmesh技术的另一个优点是，驱动器件的电压vgs变得更低，而电流处理能力变得更高。vgs电压范围被修改，驱动功能得到优化，噪声抑制能力增强，阈压范围保持不变。而且，新一代mdmesh技术支持更严格的rds (on)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用to-247、to-220、to-220fp和d2pak/i2pak封装的500v、140mω的stw25nm50n、stp25nm50n、stf25nm50n和stb25nm50nt4/-1；分别采用dpak、to-220、to-220fp和d2pak封装的500v、380mω的std12nm50nt4、stp12nm50n、stf12nm50n、stb12nm50nt4；分别采用to-247、to-220、to-220fp和d2pak/i2pak封装的600v、170mω的stw25nm60n、stp25nm60n、stf25nm60n、stb25nm60nt4/-1。这些元器件适用于90w到1000w的
电流参数：ID=22A电压参数：UDS=500V/UGS=±25V功 率：Ptot=160W其他参数:10V/0.11Ω,trr=460ns极 性:N
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