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tc58nvg3d1dtg00供应商优质现货

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tc58nvg3d1dtg00中文资料

  • 东芝推出采用56nm工艺的16Gb NAND闪存芯片

    大容量*2的16gb产品。而且一次处理的数据(页面)达到数倍增长,写入速度也达到了以往mlc产品2倍*3的10mb/秒,同时实现了大容量化和高速化。 东芝公司今后将继续微细加工、多值化的新技术开发,同时也将不断增强设备、改善生产效率,确保满足nand闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。 1 nm :纳米。10-9m 2 每一个硅芯片的容量3 和采用多值技术的本公司以往产品的最高速度进行比较 新产品的概要 型号名 容量 样品出货 量产时间 tc58nvg3d1dtg00 8gb 2007年1月 2007年1月 tc58nvg4d1dtg00 16gb 2007年第一季度 2007年第二季度的早期 新产品的主要特征 1.采用最先进的56nm工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多值技术(mlc)等,单芯片的容量达到上一代产品(8gb 70nm工艺)的2倍。 2.除了微细加工效果以外,还引进以下高速写入技术。 ・一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte・

  • 东芝发布8Gb/16Gb NAND闪存,采用56nm工艺制造

    率,确保满足nand闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。 新产品的主要特征: 采用最先进的56nm工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多级单元技术(mlc)等,单芯片的容量达到上一代产品(8gb 70nm工艺)的2倍。 除了微细加工效果以外,还引进以下高速写入技术。 一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte 采用降低数据待处理、高速化的写入缓冲功能 通过以上功能,实现相当于以往产品(多值)2倍的10mb/秒的高速写入速度。 新产品的主要规格: tc58nvg3d1dtg00容量为8gb,电源电压为2.7v~3.6v,页面大小为4096+218byte,编程时间为800微秒/页(typ.),消除时间2毫秒/块(typ.),访问时间50微秒(1st);tc58nvg4d1dtg00容量为16gb,电源电压为2.7v~3.6v,页面大小为4096+218byte,编程时间为800微秒/页(typ.),消除时间2毫秒/块(typ.),访问时间30纳秒(串联)。两款产品均采用48pin tsop typei封装,外形尺寸为12×20×1.2mm。(注:以上产品型号适用于日本

tc58nvg3d1dtg00替代型号

TC58DVG04B1FT00 TC58DVG02A1FT00 TC58DVG02A TC58512FT TC51 TC5082P TC5082 TC5081P TC5036P TC4584

TC58NVG4D1DTG00 TC58V64 TC59S6432DFT-80 TC620 TC621 TC621CEOA TC622EOA TC623CEOA TC624EOA TC642EOA

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