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具体介绍法拉电容在单片机系统的ram数据保护中的应用,为嵌入式系统中ram数据保护提供一种可行的参考方法。 某一采用ut6264c-70ll作为ram的单片机系统,在系统掉电后,要求ram的数据后备时间达到5天。 1 硬件设计 采用法拉电容作为ram后备电源,法拉电容后备时间的典型计算公式为: 式中:c(f)为法拉电容的标称容量,umin(v)为电路中的正常工作电压,umin(v)为电路能工作的最低电压,t(s)为电路中后备时间,i(a)为电路的负载电流。 ut6264csc-70ll的典型数据保持电流为1 μa,工作电压为5 v,数据保持所需电压最低为2 v。取0.1 f的法拉电容,计算得到ram的数据后备时间为3.35天。而实际上,当ram的电源电压降低时,其数据保持电流将减小,因而后备时间可以延长。 另外,电源出现波动时,ram的片选引脚、写使能引脚及数据线端口也容易引入干扰或不正常的控制时序,从而破坏ram中的数据。因此,需要通过电路设计,确保电源不正常时读写控制端口时序可控,从而增强ram数据的安全。电路原理图如图1所示。 当电源正常时,5 v电