ZXTP23015CFH
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原盘 原标 假一罚十 支持账期
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DIODES美台/原装
ZXTP23015CFHTA
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三极管(BJT)PNP 15V 5A晶体管类型PNP 集射极击穿
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zetex semiconductors近日推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高sot23封装的电流处理能力,还能替代体积较大的sot89和sot223等效元件,有助于设计人员缩减产品尺寸。 zetex凭借其先进的引线架设计及双极工艺能力,开发出两款新型的npn器件和两款pnp器件,每款器件的功率高达1.25w。zxtn23015cfh于zxtn25020dfh npn的额定vce 电压分别为15v和20v;zxtp23015cfh与zxtp25040dfh pnp则分别为15v和40v。 zetex亚洲副总裁林博文先生指出,新型晶体管系列能够处理高达6a的连续电流,显著提升产品的功率密度。该器件还可以支持高达15a的脉冲峰值电流,能以更快的速度驱动电源应用中的更大电容的mosfet和igbt。 这些sot23双极晶体管的另一个特点是拥有极低的饱和电压——15v npn器件的集电极电流为1a时仅为30mv。因此,这些器件可用来制造用于电池驱动设备的高效开关,并可保持最佳的散热性能。此外,该系列晶体管拥有极高的增益,因此大型负载可以由集成电路进行驱动,而无需增加额外的缓冲电路。
仿真信号处理及功率管理方案供货商zetex semiconductors,推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大sot23封装的电流处理效能,可取代体积更大的等效sot89和sot223零件,有助设计人员缩减产品尺寸。 zetex善用了其先进的引线框架设计及双极制程能力,共开发出两款新型npn器件和两款pnp器件,各款功耗为1.25w。zxtn23015cfh与zxtn25020dfh npn的额定vce电压分别为15v及20v; zxtp23015cfh与zxtp25040dfh pnp的则分别为15v和40v。 zetex亚洲副总裁林博文指出,新晶体管系列能处理高至6a的连续电流,大大提升产品的功率密度。它们又可支持高至15a的脉冲峰值电流,能在电源应用中以更高速度驱动电容更高的mosfet和igbt。这些sot23双极晶体管的另一特点,是拥有极低的饱和电压——以15v npn器件计算,在1a集极电流下仅为30mv。因此,它们可用来生产高效率开关,特别适用于以电池驱动的设备,并可将热量耗散保持在绝对最低水平。 来源:小草
zetex semiconductors推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高sot23封装的电流处理能力,还能替代体积较大的sot89和sot223等效元件,有助于设计人员缩减产品尺寸。zetex凭借其先进的引线架设计及双极工艺能力,开发出两款新型的npn器件和两款pnp器件,每款器件的必v高达1.25w。 zxtn23015cfh于zxtn25020dfh npn的额定vce 电压分别为15v和20v;zxtp23015cfh与zxtp25040dfh pnp则分别为15v和40v。 zetex亚洲副总裁林博文先生指出,新型晶体管系列能够处理高达6a的连续电流,显著提升产品的必v密度。该器件还可以支持高达15a的脉冲峰值电流,能以更快的速度驱动电源应用中的更大电容的mosfet和igbt。这些sot23双极晶体管的另一个特点是拥有极低的饱和电压——15v npn器件的集电极电流为1a时仅为30mv。因此,这些器件可用来制造用于电池驱动设备的高效开关,并可保持最佳的散热性能。此外,该系列晶体管拥有极高的增益,因此大型负载可以由集成电路进行驱动,而无需增加额外的缓冲电路。 来源:小草
电流参数:IC=-5A/ICM=-10A/IBM=-1.2A电压参数:UCBO=-15V/UCEO=-15V/UEBO=-7V功 率:PD=1.05W其他参数:fT=270MHz极 性:PNP备 注:对管,ZXTN23015CFH
(电子市场网讯) 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 zetex semiconductors近日推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高sot23封装的电流处理能力,还能替代体积较大的sot89和sot223等效元件,有助于设计人员缩减产品尺寸。 zetex凭借其先进的引线架设计及双极工艺能力,开发出两款新型的npn器件和两款pnp器件,每款器件的功率高达1.25w。zxtn23015cfh于zxtn25020dfh npn的额定vce 电压分别为15v和20v;zxtp23015cfh与zxtp25040dfh pnp则分别为15v和40v。 zetex亚洲副总裁林博文先生指出,新型晶体管系列能够处理高达6a的连续电流,显著提升产品的功率密度。该器件还可以支持高达15a的脉冲峰值电流,能以更快的速度驱动电源应用中的更大电容的mosfet和igbt。 这些sot23双极晶体管的另一个特点是拥有极低的饱和电压——15v npn器件的集电极电流为1a时仅为30mv。因此,这些器件可用来制造用于电池驱动设备的高效开关,并可保持最佳的散热性能。此外,该系列晶体管拥有极高的增益,因此大型负载可
仿真信号处理及功率管理方案供货商zetex semiconductors,日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大sot23封装的电流处理效能,可取代体积更大的等效sot89和sot223零件,有助设计人员缩减产品尺寸。 zetex善用了其先进的引线框架设计及双极制程能力,共开发出两款新型npn器件和两款pnp器件,各款功耗为1.25w。zxtn23015cfh与zxtn25020dfh npn的额定vce电压分别为15v及20v; zxtp23015cfh与zxtp25040dfh pnp的则分别为15v和40v。 zetex亚洲副总裁林博文指出,新晶体管系列能处理高至6a的连续电流,大大提升产品的功率密度。它们又可支持高至15a的脉冲峰值电流,能在电源应用中以更高速度驱动电容更高的mosfet和igbt。这些sot23双极晶体管的另一特点,是拥有极低的饱和电压——以15v npn器件计算,在1a集极电流下仅为30mv。因此,它们可用来生产高效率开关,特别适用于以电池驱动的设备,并可将热量耗散保持在绝对最低水平。此外,由于它们的增益较高,故此大型负载可由集成电路来驱动,无需