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IPD14N06S2-80

更新时间:2025-05-19 10:34:50

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终端可以免费供样，支持BOM配单

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只做原装,专注海外现货订购20年

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IPD14N06S2-80 概述

IPD14N06S2-80是由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET器件。该型号属于OptiMOS系列，专为高效率和高性能应用设计。它采用N沟道技术，具有60V的漏源电压额定值和14A的连续漏极电流能力。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统整体效率。典型应用场景包括电源管理、电机驱动以及电池供电设备中的开关电路。在电动工具、电动车控制器等需要高效电能转换的产品中广泛应用。由于其优异的热性能和稳健性，在工业自动化领域也很受欢迎。使用时需注意遵循推荐的散热设计以确保稳定运行，避免过高的结温导致器件损坏。在PCB布局上要尽量减小寄生电感，以充分发挥其高速开关特性。

IPD14N06S2-80 规格参数

数据列表
IPD14N06S2-80
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 14µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
293pF @ 25V
功率 - 最大
47W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
PG-TO252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000252161

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