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NTMD4184PFR2G

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ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NTMD4184PFR2G 概述

NTMD4184PFR2G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用Power33封装。它具有低导通电阻特性，在栅极 - 源极电压为4.5V时典型值为20mΩ，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。其最大漏极 - 源极电压（VDSS）为-30V，适用于各种低压开关应用，如负载开关、电源管理中的DC - DC转换器等。在需要高速开关操作的应用场景中表现良好，例如便携式设备和消费类电子产品中。使用时要注意正确设置栅极驱动电路以确保MOSFET可靠开启和关闭，避免过高的栅极 - 源极电压以免造成器件损坏。

NTMD4184PFR2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
95 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 10V
功率 - 最大
770mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)

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