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SIHG33N60E-GE3

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SIHG33N60E-GE3
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一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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SIHG33N60E-GE3
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
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现货假一罚万只做原厂原装现货

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公司现货原装

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原装支持实单

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诚信合作一站配齐

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VISHY
-/22+
诚信、创新、和谐、共赢

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VISHAY(威世)
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原装现货

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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

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521010
NR
NR/2017+
-

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一级供应商十三年品牌专营

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一定原装/香港现货

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Vishay(威世)
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只做原装，可回收IC,寻求渠道合作

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优势库存原装现货特价热卖

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一级代理，原厂排单到货，可开原型号13%专用发票

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一站式配单，只做原装

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原装部分现货量大期货

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原厂原装，假一罚万，合作共赢

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全新原装现货，长期供应，免费送样

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SIHG33N60E-GE3 概述

SIHG33N60E-GE3是英飞凌科技生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款N沟道增强型功率MOSFET采用先进工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。它专为高压应用设计，最大漏源电压额定值达到600V。该器件适用于不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动等工业领域，也常见于消费类电子产品如高端音响设备中。在电路设计时，需确保栅极驱动电路提供足够的电压以完全开启MOSFET，并注意散热设计避免过热损坏。其封装形式便于集成到各种电路板布局中，提高设计灵活性。

SIHG33N60E-GE3 规格参数

现有数量
500现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
99 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3508 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3

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