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SIHG33N60E-GE3

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10800
Vishay Siliconix
TO247AC/21+
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TO247AC3/20+
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8600
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TO247/24+
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160000
MICROCHIP(美国微芯)
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6000
Vishay
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63422
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TO247AC/2215+
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SIHG33N60E-GE3 概述

SIHG33N60E-GE3是英飞凌科技生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款N沟道增强型功率MOSFET采用先进工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。它专为高压应用设计，最大漏源电压额定值达到600V。该器件适用于不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动等工业领域，也常见于消费类电子产品如高端音响设备中。在电路设计时，需确保栅极驱动电路提供足够的电压以完全开启MOSFET，并注意散热设计避免过热损坏。其封装形式便于集成到各种电路板布局中，提高设计灵活性。

SIHG33N60E-GE3 规格参数

现有数量
500现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
99 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3508 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3

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