IDT71V016SA12PH
2865
TSOP/1608+
特价特价全新原装现货
IDT71V016SA12PHI
100000
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现货库存，如实报货，价格优势，一站式配套服务
IDT71V016SA12BF
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IDT71V016SA10PHG
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SSOP/10+16+
原装现货
IDT71V016SA10PHG8
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TSOP44/15+
全新原装现货
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全新原装现货，特价热卖
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IDT71V016
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优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
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3000
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IDT71V016
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TSOP44/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
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全新原装有现货鑫盛金诚信经营
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168000
TSOP44/23+
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IDT71V016
69530
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代理渠道，价格优势
IDT71V016
18000
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原装现货原盒原包.假一罚十
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7300
TSSOP/23+
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一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
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行业十年，价格超越代理， 支持权威机构检测
IDT71V016
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原装现货
IDT71V016
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT
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IDT71V016
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT [Integrated Device Technology]
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IDT71V016
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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IDT71V016SA
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT [Integrated Device Technology]
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IDT71V016S12Y
x16 SRAM
ETC
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IDT71V016S15Y
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
IDT
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IDT71V016S15Y
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16...
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分配地址块，同时ov7649开始采集条码图像数据。采集完数据并送到sram中存储后，nios开始调用译码程序对图像进行译码。译码完成后，nios控制条码信息在lcd中显示。 530)this.width=530" border=0> 2.3 存储器扩展模块 该模块包括flash、sram、cpld三个部分。其中，cpld用于存储配置fpga的程序，flash用于存储系统软件，而sram用于存放动态采集到的大量条码图像数据。按照量化位数的不同，选用不同容量的sram作为外部扩展，这里选择了idt71v016，它的容量是64k×16bit。 3 系统软件的设计与实现 这里不采用现有条码扫描大多采用的直接用模拟电路探测条码的条空分界信号的方法，因为这种方法扫描结果将使条空分界线钝化，降低了以后操作中信号检测的准确性。而是将条码图形通过内置cmos扫描仪整个读取，然后通过嵌入式编程完成条空分界。这种方法的译码准确率要高，而且采用编程的方法不会有前者存在的对扫描角度要求严格的问题。 二维条码扫描器开始工作时，首先采集二维条码图像数据。由于实际工作中条码图像会出现污损等情况，所以必须对采集到的
loader将存储在rom或flash中的程序下载至sram区并开始运行，此时仿真器不起作用。 vc33的片内存储区在实际应用中难以满足运行程序与存储数据的需要，因此必须为系统扩展外部存储区，包括静态sram区和永久rom区。sram区在系统工作时与vc33内部存储区结合使用，作为系统的工作区，rom区则永久保存运行程序和特定参数，系统上电时由引导程序将rom区中的程序和数据读至sram区中。 vc33的高速特点要求扩展的sram必须有极高的存取速度，这里选用两片64k×16bit的idt71v016 sram组成64k×32bit片外存储区，其地址访问时间仅为12ns，能够满足存取速度的要求。 由于系统只在上电和复位时访问永久rom，对它的存取时间要求不太高，采用一片512k×16bit的am29lv800b flash rom，其访问时间为60~120ns。flashrom可多次重复擦拭，数据保存时间长，写入程序不需要额外的工具。瑞泰创新公司提供了专用的flash写入程序，也可根据实际情况自己编写，灵活性很好。 图4是电路设计原理图，用g20v8b进行地址选通，后面还会详细介
bootloader将存储在rom或flash中的程序下载至sram区并开始运行，此时仿真器不起作用。 vc33的片内存储区在实际应用中难以满足运行程序与存储数据的需要，因此必须为系统扩展外部存储区，包括静态sram区和永久rom区。sram区在系统工作时与vc33内部存储区结合使用，作为系统的工作区，rom区则永久保存运行程序和特定参数，系统上电时由引导程序将rom区中的程序和数据读至sram区中。 vc33的高速特点要求扩展的sram必须有极高的存取速度，这里选用两片64k×16bit的idt71v016 sram组成64k×32bit片外存储区，其地址访问时间仅为12ns，能够满足存取速度的要求。 由于系统只在上电和复位时访问永久rom，对它的存取时间要求不太高，采用一片512k×16bit的am29lv800b flash rom，其访问时间为60~120ns。flashrom可多次重复擦拭，数据保存时间长，写入程序不需要额外的工具。瑞泰创新公司提供了专用的flash写入程序，也可根据实际情况自己编写，灵活性很好。 图4是电路设计原理图，用g20v8b进行地址选通，后面还会详细介绍dsp
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