STK850
20000
TO220/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
STK850
20000
LFCSP/2024+
13%原装
STK850
8000
TO220/2024+
原装现货，支持BOM配单
STK850
5000
Polar/2025+
原装现货，实单支持
STK850
5000
Polar/22+
原装现货，实单来谈，配套服务
STK850
5000
Polar/23+
原装现货，实单支持
STK850
18000
PAK/22+
只做全新原装，支持BOM配单，假一罚十
STK850
9221
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
STK850
6000
Polar/23+
原装现货，实单支持
STK850
63000
Polar/23+
原装现货
STK850
5130
PAK/22+
100%原装正品深圳现货
STK850
8000
PolarPak/23+
原厂渠道，现货配单
STK850
深圳
PAK/5200
保证原装正品现货
STK850
3000
PolarPak/19+/20+
100%进口原装长期供应绝对优势价格(诚信经营)
STK850
9800
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
STK850
62500
PAK/-
原装最低价，认准华盛锦
STK850
2342
Polar/23+
原装现货，实单支持
STK850
50000
PAK/23+ROHS
原装，原厂渠道，十年BOM配单专家
STK850
9400
PAK/23+
原装现货
STK850
5270
QFN/21+
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STK850
N-CHANNEL 30V - 0.0024 ヘ - 30A - Po...
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STK850_0610
N-channel 30V - 0.0024ohm - 30A - Po...
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意法半导体(st)发布首款以顶部金属polarpak封装的功率器件：stk800、stk850，增强了热量性能、提升了大电流电源使用组件的功率密度。新器件分别为20a/30a功率mosfet，以标准so-8封装，仅需要5mm×6mm板空间，因顶部与底部的热耗散通道其高度仅为0.8mm。 st与siliconix就使用polarpak技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率mosfet封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准so-8相比, polarpak的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。 新器件以st所有的最新stripfet技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10v时，20a stk800典型的rds(on) 值为6.0mohm，30a stk850的rds(on)值为2.9mohm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个mosfet的低片上阻抗特性。 低电容与总门电荷数，使stk800成为非绝缘dc/dc压降转换器中控制fet的
意法半导体（stmicroelectronics） 今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的polarpak® 封装的功率ic，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的stk800和stk850分别是20a和30a的功率场效应mos晶体管，占板面积与so-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。 st和siliconix公司于2005年3月签订一项使用polarpak®技术的许可协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应mos晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的so-8封装相比，polarpak的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比so-8封装处理的电流高一倍。. 新器件采用st最新优化的stripfet™制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10v时，20a stk800的典型rds(on) 是6.0毫欧，30a stk85
意法半导体推出了该公司第一批采用顶置金属片的polarpak 封装的功率ic，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的stk800和stk850分别是20a和30a的功率场效应mos晶体管，占板面积与so-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。 新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应mos晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的so-8封装相比，polarpak的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比so-8封装处理的电流高一倍。 新器件采用st最新优化的stripfet制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10v时，20a stk800的典型rds(on) 是6.0毫欧，30a stk850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款mosfet的通态电阻的主要因素。 电容低和栅电荷总量低使stk800成为非隔离型直流-直流降压转换
电流参数：ID=30A/IDM=120A电压参数：UDS=30V/UGE=±16V功 率：Ptot=5.2W其他参数：10V/0.0024Ω,4.5V/0.0029Ω,trr=39ns极 性：N
意法半导体(st)日前发布首款以顶部金属polarpak封装的功率器件：stk800、stk850，增强了热量性能、提升了大电流电源使用组件的功率密度。新器件分别为20a/30a功率mosfet，以标准so-8封装，仅需要5mm×6mm板空间，因顶部与底部的热耗散通道其高度仅为0.8mm。 2005年3月，st与siliconix就使用polarpak技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率mosfet封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准so-8相比, polarpak 的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。 新器件以st所有的最新stripfet技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10v时，20a stk800典型的rds(on) 值为6.0mohm，30a stk850的rds(on)值为2.9mohm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个mosfet的低片上阻抗特性。 低电容与总门电荷数，使stk800成为非绝缘dc/dc压降转
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