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当前位置:维库电子市场网>IC>stl150n3llh6 更新时间:2025-07-13 05:16:40

stl150n3llh6供应商优质现货

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  • 特色产品:

    STripFET? Series V Power MOSFETs

  • 标准包装:

    1

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    STripFET™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    150A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    2.4 毫欧 @ 16.5A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    1V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    40nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    4040pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    80W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    8-PowerVDFN

  • 供应商设备封装:

    PowerFlat?(6x5)

  • 包装:

    Digi-Reel?

  • 其它名称:

    497-10419-6

  • ST推出全新系列30V表面贴装功率晶体管

    设计人员可以使用高开关频率,在产品设计中选用尺寸更小的无源器件,如电感和电容。 意法半导体新30v表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装,包括so-8、dpak、5×6mm powerflat、3.3×3.3mm powerflat、polarpak?、通孔ipak和sot23-6l,兼容现有的焊盘/引脚布局,同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的stripfet vi deepgate产品系列可以创造出最大的市场机遇。 首批采用新工艺的产品包括stl150n3llh6和std150n3llh6两款产品。stl150n3llh6采用5×6mm powerflat封装,单位面积导通电阻rds(on)达到市场最低水平;std150n3llh6采用dpak封装,导通电阻 rds(on)为2.4毫欧。 两款产品的样片都已上市,计划2009年6月开始量产。

stl150n3llh6替代型号

ST-L1102 STK850 STK830 STK800 STK7406 STK7359 STK7358 STK7309 STK7308 STK702-015

STL3055 STL50NH3LL STL8NH3LL STLC1502 STLC3055 STLC30R80 STLC4550 STLC5046 STLC5048 STLED316SMTR

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